RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
59
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2576
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link