RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
59
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2851
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link