RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
59
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2497
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link