RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3467
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link