RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
59
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3402
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link