RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
59
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3606
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link