RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
24
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
24.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
20.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
4156
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link