RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
59
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3260
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP5189-2180-ELC 2GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link