RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
71
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.1
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
71
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
1484
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link