RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2171
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link