RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3474
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link