RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
59
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2583
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link