RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
59
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2958
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link