RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
59
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
54
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2176
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link