RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
69
72
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
72
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
1682
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-RD 4GB
Crucial Technology BLS4G3N18AES4.16FE 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link