RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
69
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2814
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link