RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
69
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2364
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link