RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
22.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
16
58
Wokół strony -263% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
16
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
22.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3834
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link