RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
58
Wokół strony -49% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2940
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link