RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
58
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3157
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link