RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
58
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3401
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link