RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
58
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2490
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology C 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link