RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
58
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
40
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2462
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ41UF8EDU0-DJ-F 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link