RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
55
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
55
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2302
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link