RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
46
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.8
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
35
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3583
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link