RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2966
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link