RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3300
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link