RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
46
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
39
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2221
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link