RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3230
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
G Skill Intl F3-12800CL11-4GBSQ 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link