RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3255
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMR5030MM58E8F1600 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link