RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
46
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
38
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2792
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link