RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2739
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link