RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
46
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
3200
Wokół strony 8 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
25600
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3166
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link