RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2332
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
A-DATA Technology DDR2 1066G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link