RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
79
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
79
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1330
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link