RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2740
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link