RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
46
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3371
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link