RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
46
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
21
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
4230
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link