RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
46
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
40
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2965
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link