RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3466
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Lenovo 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link