RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.7
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
22.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3861
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link