RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3876
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
King Tiger Technology Tigo-1600Mhz-8G 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link