RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.7
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
4033
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link