RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
46
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3652
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link