RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3614
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link