RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3767
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link