RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2924
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link