RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
47
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
47
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2362
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link