RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
46
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
3200
Wokół strony 8 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
39
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
25600
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2188
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link