RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
3200
Wokół strony 7.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
23400
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2709
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link